Lasers de emisión superficial de factor de emisión espontáneo casi unitario InP basados en estados cuasi-enlazados en...

Área de la Ciencia:

• Optoelectrónica y sus derivados
• Ciencias de los materiales
• Nanotecnología

Sus antecedentes:

• Los láseres de emisión de superficie son cruciales para las tecnologías ópticas.
• Los estados ligados ópticos en el continuo (BIC) ofrecen una interacción luz-materia mejorada.
• Los métodos de fabricación de arriba hacia abajo para los láseres BIC causan daños estructurales, limitando el rendimiento.

Objetivo del estudio:

• Para superar el daño inducido por la fabricación en los láseres BIC.
• Demostrar un enfoque de abajo hacia arriba sin grabado para láseres cuasi-BIC de emisión superficial.
• Para lograr un rendimiento alto, láser de un solo modo a temperatura ambiente.

Principales métodos:

• Crecimiento epitaxial de nanohojas de InP diseñadas por ingeniería de fase cristalina.
• Utilizando las nanohojas como medio de ganancia láser y cavidad cuasi-BIC.
• Aprovechando la estructura cristalina de la wurtzita para la supresión del modo.

Principales resultados:

• Se han demostrado láseres cuasi-BIC de emisión superficial mediante fabricación ascendente.
• Logrado láser de modo único a temperatura ambiente.
• Se informó un umbral de láser bajo de 14 μJ cm-2 pulso-1.
• Se han observado altos factores de emisión espontánea (hasta 0,8) que indican un acoplamiento óptimo.

Conclusiones:

• La fabricación de abajo hacia arriba evita con éxito daños estructurales en los láseres BIC.
• Los láseres cuasi-BIC con nanohojas de InP muestran potencial para el funcionamiento casi sin umbral.
• Este enfoque allana el camino para dispositivos optoelectrónicos de alto rendimiento a temperatura ambiente.