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Updated: Aug 1, 2026

12:19
Measurement of Quantum Interference in a Silicon Ring Resonator Photon Source
Published on: April 4, 2017
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Resonadores de haz gaussiano circulante de guía de onda planar en un chip fotónico de silicio
Optics express
|December 19, 2025
Resumen
Un nuevo resonador de guía de onda de losa de silicio ofrece operación de banda ancha con altos valores Q. Este diseño minimiza las pérdidas por rugosidad de las paredes laterales, superando a los resonadores de anillo de silicio tradicionales.
Área de la Ciencia:
- Fotónica
- Óptica Integrada
- Ciencia de Materiales
Sus antecedentes:
- La fotónica de silicio es crucial para los circuitos ópticos integrados.
- Los resonadores de anillo de silicio convencionales enfrentan limitaciones debido a la rugosidad de las paredes laterales y las pérdidas por dispersión.
- El desarrollo de resonadores de silicio robustos y de banda ancha es esencial para aplicaciones fotónicas avanzadas.
Objetivo del estudio:
- Diseñar y caracterizar un nuevo resonador de guía de onda de losa de silicio.
- Evaluar su rendimiento en configuraciones de paso total y de adición-eliminación.
- Comparar sus ventajas sobre los resonadores de anillo de silicio tradicionales.
Principales métodos:
- Se diseñó un resonador de guía de onda de losa de silicio con una cavidad de haz gaussiano bidimensional plegada.
- El acoplamiento de la luz se logró mediante divisores de haz formados por brechas estrechas.
- Se midieron los anchos de línea de resonancia y los valores Q para una cavidad de 100 μm de longitud de trayectoria.
Principales resultados:
- Se lograron anchos de línea de resonancia medidos de 5 pm y valores Q de 310000.
- El resonador demostró un peine de líneas de resonancia en un rango de sintonización de 100 nm.
- El diseño mostró operación de banda ancha y menor susceptibilidad a las pérdidas por dispersión.
Conclusiones:
- El diseño propuesto de resonador de guía de onda de losa de silicio permite la operación de banda ancha.
- Ofrece un rendimiento mejorado en comparación con los resonadores de anillo de silicio, particularmente en lo que respecta a la rugosidad de las paredes laterales.
- Este diseño es prometedor para dispositivos fotónicos integrados de próxima generación.

