Método de compensación de defectos de máscara EUV de alta eficiencia basado en la corrección de la capa absorbedora...

Área de la Ciencia:

• Fabricación de Semiconductores
• Técnicas de Litografía Avanzada
• Nanotecnología

Sus antecedentes:

• La litografía ultravioleta extrema (EUV) es fundamental para la fabricación de dispositivos semiconductores en nodos de 7 nm y más pequeños.
• La apertura numérica (NA) en la litografía EUV está aumentando de 0,33 a 0,55, mejorando la resolución pero exacerbando los desafíos de los defectos de las multicapas de máscaras.
• Los métodos existentes de compensación de defectos para la litografía EUV de 0,33 NA son ineficientes y limitados en precisión debido a algoritmos y simulaciones complejos.

Objetivo del estudio:

• Proponer un método novedoso y de alta eficiencia para la compensación de defectos de multicapas de máscaras de litografía EUV.
• Abordar las limitaciones de los métodos actuales en términos de precisión y eficiencia, particularmente para los sistemas avanzados de 0,55 NA.
• Garantizar la fabricabilidad de la máscara y al mismo tiempo lograr un rendimiento superior en la compensación de defectos.

Principales métodos:

• Se introduce un método de corrección de la capa absorbedora pixelada.
• La técnica utiliza la percepción de la intensidad de la luz local y la optimización morfológica de las formas de los bordes para la compensación de defectos.
• El método propuesto tiene como objetivo un rendimiento superior con un número limitado de evaluaciones.

Principales resultados:

• El método propuesto demuestra una velocidad de convergencia y una precisión de compensación superiores en comparación con las técnicas existentes.
• Se logra una compensación de defectos efectiva en varios tamaños, posiciones y tipos de patrones de defectos tanto para la litografía EUV de 0,33 NA como de 0,55 NA.
• El método mantiene la fabricabilidad de la máscara, alineándose con la creciente practicidad de las máscaras curvilíneas.

Conclusiones:

• El método de compensación de defectos pixelados desarrollado ofrece una solución técnicamente factible y eficiente para la litografía EUV.
• Se espera que este enfoque beneficie significativamente las aplicaciones de fabricación en volumen para nodos semiconductores avanzados.
• La robustez del método en diferentes condiciones lo hace adecuado para los desafíos de la litografía de próxima generación.