LEDs de perovskita Sn de alto rendimiento en el NIR-II habilitados por la funcionalización de sulfaguanidina

Área de la Ciencia:

• Ciencia de los materiales
• Optoelectrónica
• Nanotecnología

Sus antecedentes:

• Los diodos orgánicos emisores de luz de perovskita (PeLED) que emiten en la región del infrarrojo cercano II (NIR-II) son prometedores para aplicaciones avanzadas.
• La inestabilidad de Sn2+ y la inyección desequilibrada de portadores dificultan el rendimiento de los PeLED basados en CsSnI3.

Objetivo del estudio:

• Mejorar el rendimiento de los PeLED de CsSnI3 NIR-II.
• Abordar los defectos y mejorar el equilibrio de la inyección de portadores en películas de CsSnI3.

Principales métodos:

• Empleo de moléculas de sulfaguanidina (SG) funcionalizadas en películas de CsSnI3.
• Utilización de la coordinación S═O─Sn y los enlaces de hidrógeno NH2···I− para la pasivación de defectos.
• Mejora de la uniformidad morfológica y regulación de la inyección de portadores.

Principales resultados:

• Eliminación efectiva de defectos relacionados con Sn(II) en películas de CsSnI3.
• Uniformidad morfológica mejorada e inyección equilibrada de portadores.
• Se logró una eficiencia cuántica externa (EQE) récord de 8,1 % para CsSnI3-SG PeLED.

Conclusiones:

• Las moléculas de sulfaguanidina (SG) pasivan eficazmente los defectos y equilibran la inyección de portadores en PeLED basados en CsSnI3.
• Los PeLED optimizados demuestran la mayor eficiencia reportada para dispositivos basados en CsSnI3.
• Este trabajo allana el camino para los PeLED NIR-II de alto rendimiento.