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Updated: Jan 8, 2026
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Implementation of a Reference Interferometer for Nanodetection
Published on: April 26, 2014
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III-Nitride de Cavidad Vertical de Emisión Superficial de Profundidad Ultravioleta a Escala de Oblea con Control de
Chen Ji1, Jiaming Wang1,2, Fujun Xu1
1State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing, China.
Advanced science (Weinheim, Baden-Wurttemberg, Germany)
|December 21, 2025
Resumen
Este estudio presenta una estrategia novedosa para láseres de emisión superficial de cavidad vertical de profundidad ultravioleta (VCSELs DUV) que logra un control de la longitud de la cavidad de nivel nanométrico en una oblea de 4 pulgadas. Esto minimiza la desintonización y mejora el rendimiento del dispositivo para aplicaciones como relojes atómicos.
Conclusiones:
- La estrategia propuesta de VCSEL DUV aborda eficazmente los problemas de desintonización de la longitud de la cavidad a través de un control epitaxial preciso.
- Este enfoque permite la fabricación a escala de oblea de VCSELs DUV de alto rendimiento con uniformidad mejorada y umbral reducido.
- Los resultados allanan el camino para dispositivos optoelectrónicos DUV avanzados en aplicaciones críticas.
