Video Experimental Relacionado

Updated: Jan 8, 2026

Atomic Layer Deposition of Vanadium Dioxide and a Temperature-dependent Optical Model

Atomic Layer Deposition of Vanadium Dioxide and a Temperature-dependent Optical Model

Published on: May 23, 2018

Estudio de primeros principios de compuestos de Heusler fraccionarios basados en vanadio: propiedades estructurales,

Md Tarekuzzaman¹, Salah Uddin¹, Md Shahazan Parves¹

¹Materials Research and Simulation Lab, Department of Electrical and Electronic Engineering, International Islamic University Chittagong Kumira Chittagong 4318 Bangladesh zahidhasan.02@gmail.com.

|December 22, 2025

Resumen

Este estudio investiga compuestos de Heusler fraccionarios (VFeAs, VFeBi, VIrPb, VIrSn) utilizando la Teoría de Funcionales de la Densidad (DFT). Estos materiales prometen como semiconductores para optoelectrónica y como recubrimientos de barrera térmica debido a sus propiedades físicas y ópticas únicas.

Área de la Ciencia:

Física de la Materia Condensada
Ciencia de Materiales
Ciencia Computacional de Materiales

Sus antecedentes:

Los compuestos de Heusler fraccionarios son una clase de materiales intermetálicos con aplicaciones potenciales en diversos campos.
La comprensión de sus propiedades físicas fundamentales es crucial para diseñar nuevos materiales con funcionalidades adaptadas.

Objetivo del estudio:

Explorar las propiedades estructurales, electrónicas, mecánicas, ópticas y térmicas de VFeAs, VFeBi, VIrPb y VIrSn.
Evaluar su idoneidad para dispositivos optoelectrónicos y recubrimientos de barrera térmica.

Principales métodos:

Cálculos de Teoría de Funcionales de la Densidad (DFT) utilizando el Cambridge Serial Total Energy Package (CASTEP).
Optimización estructural, análisis de la estructura de bandas electrónicas y densidad de estados (DOS).
Cálculos de constantes elásticas y análisis de propiedades ópticas.

Principales resultados:

Todos los compuestos investigados exhiben estructuras cristalinas cúbicas estables.
Propiedades semiconductoras con brechas de banda calculadas: VFeAs (1.615 eV), VFeBi (1.378 eV), VIrPb (1.361 eV), VIrSn (1.574 eV).
Estabilidad mecánica confirmada por los criterios de Born; se observa isotropía elástica.
Propiedades ópticas favorables (fotoconductividad, reflectividad, función dieléctrica) y baja conductividad térmica.

Conclusiones:

VFeAs, VFeBi, VIrPb y VIrSn son materiales semiconductores estables.
Sus propiedades optoelectrónicas los hacen prometedores para aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos.
La baja conductividad térmica sugiere potencial para aplicaciones en recubrimientos de barrera térmica.

Más Videos Relacionados

Probe Type II Band Alignment in One-Dimensional Van Der Waals Heterostructures Using First-Principles Calculations

Probe Type II Band Alignment in One-Dimensional Van Der Waals Heterostructures Using First-Principles Calculations

Published on: October 12, 2019

Fabricating van der Waals Heterostructures with Precise Rotational Alignment

Fabricating van der Waals Heterostructures with Precise Rotational Alignment

Published on: July 5, 2019

Videos de Conceptos Relacionados

Properties of Transition Metals

Properties of Transition Metals

Transition metals are defined as those elements that have partially filled d orbitals. As shown in Figure 1, the d-block elements in groups 3–12 are transition elements. The f-block elements, also called inner transition metals (the lanthanides and actinides), also meet this criterion because the d orbital is partially occupied before the f orbitals.

UV–Vis Spectroscopy: Molecular Electronic Transitions

UV–Vis Spectroscopy: Molecular Electronic Transitions

In Ultraviolet–Visible (UV–Vis) spectroscopy, the absorption of electromagnetic radiation is used to probe the electronic structure of molecules. This technique provides insights into molecular electronic transitions, particularly the movement of electrons between different molecular orbitals. Radiation is absorbed if the energy of the electromagnetic radiation passing through the molecule is precisely equal to the energy difference between the excited and ground states. During this...