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Updated: May 3, 2026

Selective Area Modification of Silicon Surface Wettability by Pulsed UV Laser Irradiation in Liquid Environment
Published on: November 9, 2015
Perfilado de Profundidad a Nanoescala de Dispositivos Optoelectrónicos Utilizando LIBS de UV Profundo
Atchutananda Surampudi1, Mool C Gupta1
1Charles L. Brown Department of Electrical & Computing Engineering, University of Virginia, Charlottesville, Virginia 22904, United States.
La espectroscopia de emisión atómica inducida por láser (LIBS) de UV profundo logra un perfilado de profundidad elemental a nanoescala a ~10 s de nm. Este método portátil ofrece alta sensibilidad para el análisis en tiempo real de películas delgadas y dispositivos semiconductores.
Área de la Ciencia:
- Ciencia de Materiales
- Química Analítica
- Espectroscopia
Sus antecedentes:
- El perfilado de profundidad elemental a nanoescala preciso es crucial para materiales avanzados como uniones semiconductoras y recubrimientos ópticos.
- La espectrometría de masas de iones secundarios (SIMS) ofrece perfilado de profundidad a nanoescala pero carece de portabilidad y capacidades de monitoreo en tiempo real.
- La espectroscopia de emisión atómica inducida por láser (LIBS) proporciona detección elemental sensible pero típicamente tiene una resolución de profundidad limitada (~μm).
Objetivo del estudio:
- Demostrar el perfilado de profundidad elemental a nanoescala utilizando LIBS de UV profundo en condiciones ambientales.
- Desarrollar un instrumento LIBS compacto y portátil para la caracterización en tiempo real.
- Lograr una alta resolución de profundidad (~10 s de nm) con sensibilidad elemental de partes por millón.
Principales métodos:
- Se utilizó un láser pulsado de 266 nm (UV-C) acoplado por fibra para LIBS de UV profundo.
- Se lograron profundidades de ablación precisas de ~20-25 nm por pulso.
- Se desarrolló un cabezal óptico compacto (3 × 2 × 1.5 cm³) con enfoque automático y una lente de bola personalizada.
Principales resultados:
- Demostró el perfilado de profundidad a nanoescala con una resolución de ~10 s de nm.
- Logró una sensibilidad de detección elemental de partes por millón.
- Perfiló con éxito dopantes de boro en dispositivos fotovoltaicos de silicio (~650 nm), capas alternas de Ta2O5/SiO2 en espejos dieléctricos (~100-145 nm) y óxido nativo de ~1-2 nm sobre silicio.
Conclusiones:
- La LIBS de UV profundo permite el perfilado de profundidad elemental a nanoescala de alta resolución en condiciones ambientales.
- El instrumento LIBS compacto desarrollado es adecuado para la caracterización portátil en tiempo real de dispositivos ópticos y electrónicos.
- Esta técnica elimina la necesidad de vacío o preparación extensiva de muestras, ofreciendo una alternativa atractiva a los métodos tradicionales.
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