Emisores infrarrojos MEMS autocontenidos a nivel de oblea con superficie de silicio negro de alta emisividad

Zhiwei Li1,2,3, Hongliang Zu2, Hongyu Chen2

  • 1School of Electronic Science and Engineering (National Model Microelectronics College), Xiamen University, Xiamen, 361005, China.

PubMed
Resumen

Este estudio presenta un emisor IR MEMS duradero para sensores de gas, que logra una alta emisividad y una vida útil de 10 años a 500 °C. El diseño autocontenido mejora la fiabilidad en entornos exigentes.

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