Ingeniería sinérgica de bandas e interfaces mediante dopaje dual Y/Ta para termoelectricidad de tipo n de alto

Jie Zhang1, Xiao-Lei Shi2, Li Zhang1

  • 1School of Materials Science and Engineering, Shaanxi Key Laboratory of Green Preparation and Functionalization for Inorganic Materials, Shaanxi University of Science & Technology, Xi'an, P. R. China.

Resumen

El dopaje dual de itrio (Y) y tantalio (Ta) en aleaciones basadas en antimoniuro de magnesio (Mg$_{3}$Sb$_{2}$) mejora significativamente el rendimiento termoeléctrico. Esta estrategia optimiza el transporte de carga y fonones para una conversión de energía eficiente.