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Updated: Jan 28, 2026

Chemical Synthesis of Porous Barium Titanate Thin Film and Thermal Stabilization of Ferroelectric Phase by Porosity-Induced Strain
Published on: March 27, 2018
Expansión Térmica-Ingeniería de Transistores Ferroeléctricos para Computación de IA Escalable en el Borde
Geonwook Kim1, Hyunho Seok2,3,4, Sihoon Son3,4
1School of Mechanical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea.
Este estudio presenta transistores de efecto de campo ferroeléctricos (FeFETs) reconfigurables que superan los cuellos de botella de la computación tradicional. Estos dispositivos permiten la computación eficiente en memoria para aplicaciones de IA, mejorando la velocidad y reduciendo el consumo de energía.
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