Ingeniería de Defectos y Deformaciones para la Estabilización de Propiedades Multiferróicas en Películas Delgadas y

Yu Cai1, Meng-Yao Fu1, Huai-Yu Peng1

  • 1Shanghai Center of Brain-inspired Intelligent Materials and Devices, Key Laboratory of Polar Materials and Devices (Ministry of Education), Department of Electronics, East China Normal University, Shanghai, China.

Resumen

La introducción de vacantes de oxígeno en películas de titanato de estroncio (SrTiO3) a través de la ingeniería de defectos y deformaciones induce ferroelectricidad y magnetismo estables tanto en películas delgadas como en membranas independientes para electrónica avanzada.