Jove
Visualize
Contáctanos

Videos de Conceptos Relacionados

También podría leer

Artículos Relacionados

Artículos vinculados a este trabajo por autores compartidos, revista y gráfico de citas.

Ordenar por
Same author

Self-explaining artificial intelligence for the classification of B cell non-Hodgkin lymphoma: A diagnostic decision support study.

PLoS medicine·2026
Same author

State-selective rate constants of the self-reaction NH<sub>3</sub><sup>+</sup> + NH<sub>3</sub>: a combined experimental and theoretical study.

Physical chemistry chemical physics : PCCP·2026
Same author

Charge attachment induced transport times two - sequential double-CAIT in Li<sub>3</sub>B<sub>7</sub>O<sub>12</sub>.

Physical chemistry chemical physics : PCCP·2026
Same author

Optimized precision oncology through implementation of a comprehensive molecular analysis pipeline - relevance for additional therapeutic options.

Cancer genetics·2026
Same author

Case Report: Pregnant ROS1+ lung cancer patient treated with crizotinib - Impact on infancy.

Frontiers in oncology·2026
Same author

Single photon photoelectron elliptical dichroism of amino acid anions.

Physical chemistry chemical physics : PCCP·2025
JoVE
x logofacebook logolinkedin logoyoutube logo
ACERCA DE JoVE
Visión GeneralLiderazgoBlogCentro de Ayuda JoVE
AUTORES
Proceso de PublicaciónConsejo EditorialAlcance y PolíticasRevisión por ParesPreguntas FrecuentesEnviar
BIBLIOTECARIOS
TestimoniosSuscripcionesAccesoRecursosConsejo Asesor de BibliotecasPreguntas Frecuentes
INVESTIGACIÓN
JoVE JournalMethods CollectionsJoVE Encyclopedia of ExperimentsArchivo
EDUCACIÓN
JoVE CoreJoVE BusinessJoVE Science EducationJoVE Lab ManualCentro de Recursos para ProfesoresSitio de Profesores
Términos y Condiciones de Uso
Política de Privacidad
Políticas

Video Experimental Relacionado

Updated: Feb 19, 2026

Growth and Electrostatic/chemical Properties of Metal/LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures
11:54

Growth and Electrostatic/chemical Properties of Metal/LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures

Published on: February 8, 2018

10.8K

Una fuente de película delgada en un experimento de difusión en estado sólido: CoO sobre SrTiO3

Qian Ma1, Janina Malin Rybak1, Natalie Jacqueline Ottinger1

  • 1Institut für Materialphysik, Universität Göttingen, Friedrich-Hund-Platz 1, 37077 Göttingen, Germany.

Microscopy and microanalysis : the official journal of Microscopy Society of America, Microbeam Analysis Society, Microscopical Society of Canada
|February 17, 2026
PubMed
Resumen

Desarrollamos un método de película delgada para crear interfaces afiladas para experimentos de difusión. Esta técnica permite un análisis preciso de los perfiles de difusión en materiales como el óxido de cobalto sobre titanato de estroncio.

Palabras clave:
rugosidad de interfazdifusión en estado sólidopelículas delgadas

Más Videos Relacionados

Preparation of Large-area Vertical 2D Crystal Hetero-structures Through the Sulfurization of Transition Metal Films for Device Fabrication
08:50

Preparation of Large-area Vertical 2D Crystal Hetero-structures Through the Sulfurization of Transition Metal Films for Device Fabrication

Published on: November 28, 2017

9.6K
Epitaxial Nanostructured &#945;-Quartz Films on Silicon: From the Material to New Devices
11:34

Epitaxial Nanostructured α-Quartz Films on Silicon: From the Material to New Devices

Published on: October 6, 2020

6.0K

Videos de Experimentos Relacionados

Last Updated: Feb 19, 2026

Growth and Electrostatic/chemical Properties of Metal/LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures
11:54

Growth and Electrostatic/chemical Properties of Metal/LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures

Published on: February 8, 2018

10.8K
Preparation of Large-area Vertical 2D Crystal Hetero-structures Through the Sulfurization of Transition Metal Films for Device Fabrication
08:50

Preparation of Large-area Vertical 2D Crystal Hetero-structures Through the Sulfurization of Transition Metal Films for Device Fabrication

Published on: November 28, 2017

9.6K
Epitaxial Nanostructured &#945;-Quartz Films on Silicon: From the Material to New Devices
11:34

Epitaxial Nanostructured α-Quartz Films on Silicon: From the Material to New Devices

Published on: October 6, 2020

6.0K

Área de la Ciencia:

  • Ciencia de Materiales
  • Química del Estado Sólido
  • Ciencia de Superficies

Sus antecedentes:

  • El análisis cuantitativo de los perfiles de difusión requiere interfaces afiladas.
  • La fabricación de tales interfaces para estudios de difusión es un desafío.

Objetivo del estudio:

  • Demostrar un método de deposición de película delgada para crear interfaces afiladas para experimentos de difusión.
  • Investigar el crecimiento de películas de óxido de cobalto (II) (CoO) sobre titanato de estroncio (STO) para su uso como fuente de difusión.

Principales métodos:

  • Pulverización catódica con haz de iones para la deposición de películas delgadas de CoO sobre STO a temperatura ambiente.
  • Recocido de difusión para inducir la difusión de Co.
  • Caracterización mediante espectroscopia de rayos X de dispersión de energía (EDS) en un microscopio electrónico de transmisión (TEM), tomografía de sonda atómica (APT) y espectroscopia de masas de iones secundarios de tiempo de vuelo (ToF-SIMS).

Principales resultados:

  • Se lograron películas de CoO casi monocristalinas y epitaxiales con interfaces planas y afiladas sobre STO.
  • Se identificaron las condiciones para mantener capas estables de CoO como fuente constante de difusión de Co.
  • Se observó la formación parcial de la fase Co3O4 después del recocido de difusión.
  • Los perfiles de difusión de Co se midieron con éxito utilizando múltiples técnicas.

Conclusiones:

  • El método de película delgada demostrado proporciona una forma fiable de crear interfaces afiladas para estudios de difusión.
  • El sistema CoO/STO sirve como modelo para estudiar la difusión en óxidos.
  • Se observaron y discutieron discrepancias en las constantes de difusión en diferentes escalas de medición.