Método de fusión de imágenes guiado por acimut para la inspección de defectos sub-λ/18 utilizando un sistema de...

Área de la Ciencia:

• Fabricación de semiconductores
• Metrología óptica
• Nanotecnología

Sus antecedentes:

• La escalada continua de los nodos de procesos avanzados presenta desafíos de fabricación.
• Se demandan métodos de inspección de defectos de alta sensibilidad y alto rendimiento.
• Las imágenes de campo oscuro del espectro visible carecen de sensibilidad a nanoescala debido al ruido y la rugosidad de la superficie.

Objetivo del estudio:

• Desarrollar un modelo físico riguroso para la obtención de imágenes de defectos.
• Proponer una estrategia de fusión de imágenes guiada por acimut para mejorar la detección de defectos.
• Superar las limitaciones de sensibilidad de las imágenes de campo oscuro en el espectro visible.

Principales métodos:

• Se construyó un modelo físico riguroso basado en la teoría electromagnética vectorial.
• Se desarrolló una estrategia de fusión de imágenes guiada por acimut que aprovecha la dependencia de la dispersión de los defectos con el acimut de la iluminación.
• Se configuró un sistema óptimo de imágenes de campo oscuro de dispersión láser.

Principales resultados:

• Se dilucidaron sistemáticamente los mecanismos que afectan la detectabilidad de los defectos.
• Se logró la identificación efectiva de defectos sub-longitud de onda (sub-λ/18).
• Se demostró una capacidad de detección mejorada para defectos orientados aleatoriamente sub-longitud de onda.

Conclusiones:

• El método de fusión guiado por acimut supera las limitaciones de sensibilidad en las imágenes de campo oscuro del espectro visible.
• Este trabajo proporciona una solución eficiente para la inspección de defectos a nanoescala en nodos de semiconductores avanzados.
• El modelo físico desarrollado ayuda a comprender y mejorar los mecanismos de detección de defectos.