Dopaje Bipolar Asistido por Plasma de Oxígeno de WSe2 para Dispositivos Sinápticos de Aprendizaje por Refuerzo

Baiyan Liu1, Qianqiu Gao2, Yue Wang1

  • 1State Key Laboratory of Precision Measurement Technology and Instruments, School of Precision Instruments and Optoelectronics Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, P. R. China.

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Resumen

Los investigadores desarrollaron un nuevo método para el dopaje bipolar controlable en dicalcogenuros de metales de transición (TMDs) bidimensionales (2D) utilizando plasma de oxígeno. Este avance permite aplicaciones avanzadas en computación neuromórfica al ajustar con precisión las propiedades del material.