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Updated: Feb 21, 2026

05:57
Characterization of SiN Integrated Optical Phased Arrays on a Wafer-Scale Test Station
Published on: April 1, 2020
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Simulación optoelectrónica de una guía de onda de silicio integrada con diodos de avalancha de un solo fotón
Optics express
|February 20, 2026
Resumen
Los diodos de avalancha de un solo fotón (SPAD) ofrecen funcionamiento a temperatura ambiente en circuitos fotónicos integrados. Las simulaciones muestran una alta eficiencia de detección de fotones (PDE) e identifican vías para la reducción de la tasa de recuento oscuro (DCR) en circuitos fotónicos cuánticos.
Área de la Ciencia:
- Fotónica y Física de dispositivos de semiconductores Física de dispositivos de semiconductores
- La óptica integrada es una óptica integrada.
- Tecnologías Cuánticas Tecnologías Cuánticas
Sus antecedentes:
- Los diodos de avalancha de un solo fotón (SPAD) se exploran como una alternativa a temperatura ambiente compatible con CMOS a los detectores criogénicos para la fotónica integrada.
- Los detectores existentes a menudo requieren refrigeración criogénica, lo que limita las aplicaciones prácticas.
- Los circuitos integrados fotónicos (PIC) ofrecen una plataforma para la miniaturización y la escalabilidad.
Objetivo del estudio:
- Desarrollar y presentar un marco completo de simulación multifísica optoelectrónica para SPAD integrados en guías de onda.
- Establecer una metodología escalable para la co-optimización de la tecnología de diseño (DTCO) de los SPAD dentro de los PIC.
- Identificar áreas clave para la mejora del rendimiento, particularmente en la reducción de la tasa de conteo oscuro (DCR).
Principales métodos:
- Desarrollo de un marco de simulación multifísica optoelectrónica.
- Modelado de SPAD integrados con guía de onda basado en la tecnología isipp50G de imec.
- Simulación del rendimiento del dispositivo, incluida la eficiencia de detección de fotones (PDE) y la tasa de conteo en oscuridad (DCR).
Principales resultados:
- Los dispositivos simulados demuestran el potencial de las eficiencias máximas de detección de fotones (PDE) que superan el 75% a 600 nm cuando se acoplan con una guía de onda SiN.
- El marco de simulación permite la exploración de parámetros de diseño para la optimización del rendimiento.
- Se identificaron vías críticas para la reducción de DCR, cruciales para las aplicaciones fotónicas cuánticas prácticas.
Conclusiones:
- El marco de simulación desarrollado proporciona una metodología DTCO escalable para SPAD integrados.
- Se puede lograr una alta PDE con la tecnología actual, lo que pone de relieve el potencial de los SPAD integrados en guías de onda.
- Una optimización adicional centrada en la reducción de DCR es esencial para avanzar en la integración de SPAD en circuitos fotónicos cuánticos.

