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Updated: Jun 29, 2026

12:19
Measurement of Quantum Interference in a Silicon Ring Resonator Photon Source
Published on: April 4, 2017
Sub-1 dB pérdida y polarización insensible acoplador de borde de banda O para fibra estándar de modo único en una
Optics express
|February 20, 2026
Resumen
Este estudio presenta un nuevo acoplador de borde para fotónica de silicio, logrando pérdidas por debajo de los decibelios y insensibilidad de polarización para la comunicación óptica. Este avance mejora el acoplamiento de fibra a chip para computación de alto rendimiento y centros de datos.
Área de la Ciencia:
- Fotónica y Ingeniería Óptica.
- Ciencia e Ingeniería de Materiales Ciencia e Ingeniería de Materiales.
- Ingeniería Eléctrica e Informática Ingeniería Eléctrica y Informática.
Sus antecedentes:
- La fotónica de silicio es crucial para los centros de datos y la computación de alto rendimiento, pero el acoplamiento eficiente de fibra a chip sigue siendo un desafío.
- Los métodos de acoplamiento existentes a menudo sufren de altas pérdidas y dependencia de la polarización, lo que dificulta el despliegue a gran escala.
Objetivo del estudio:
- Para demostrar un nuevo acoplador de borde de baja pérdida e insensible a la polarización para la fotónica de silicio.
- Mejorar las interconexiones ópticas para sistemas avanzados de computación y comunicación.
Principales métodos:
- Fabricación de un acoplador de borde de banda O con pérdida de subdecibel e insensible a la polarización en una plataforma fotónica de silicio de 300 mm utilizando nitritos de silicio de dos capas.
- Utilizó una estructura basada en voladizo con una faceta de guía de onda de sílice optimizada para una superposición de campo de modo mejorado y tolerancia de alineación.
- Implementación de acoplamiento eficiente entre capas para la conversión adiabática de campos ópticos entre nitruro de silicio y guías de onda de silicio.
Principales resultados:
- Se lograron pérdidas de inserción en modo TE/TM por debajo de 0.87 dB/1.0 dB y pérdidas dependientes de la polarización (PDL) por debajo de 0.14 dB en todo el rango de longitud de onda de 1260-1360 nm para acoplamiento directo.
- Pérdidas demostradas de acoplamiento en modo TE/TM por debajo de 0.85 dB/1.2 dB y PDL por debajo de 0.37 dB en un ancho de banda de 100 nm para acoplamiento entre capas.
- Exhibió excelentes tolerancias de alineación en las dimensiones horizontales, verticales y de la brecha de acoplamiento.
Conclusiones:
- El acoplador de borde desarrollado ofrece una solución escalable y rentable para interfaces ópticas de E/S de alto rendimiento en plataformas de fotónica de silicio.
- Esta tecnología facilita la integración a gran escala para interconexiones ópticas de alta densidad y sistemas informáticos.
- El rendimiento del dispositivo aborda desafíos críticos en fotónica de silicio, allanando el camino para la próxima generación de comunicaciones ópticas.

