Heterojunciones laterales de semiconductores 2D tensados a través de litografía de sonda de escaneo térmico a escala

Giorgio Zambito1, Giulio Ferrando1, Matteo Barelli1

  • 1Dipartimento di Fisica Università di Genova Via Dodecaneso 33 16146 Genova Italy.

Small science
|February 20, 2026
PubMed
Resumen

La ingeniería de deformación novedosa de las capas semiconductoras 2D de dicalcogenuros de metales de transición (TMD) utilizando litografía de sonda de escaneo térmico en escala de grises (t-SPL) permite el control a nanoescala de las propiedades optoelectrónicas. Este método fabrica heterojunciones MoS2-Au tensadas con respuestas electrónicas sintonizables para aplicaciones nanoelectrónicas y nanofotónicas avanzadas.