Memristores robustos basados en bicapas de SnO2/SnS2 procesadas en solución para computación neuromórfica confiable

Xiuyang Tang1, Xinming Ma1, Sizhu Ha1

  • 1Tianjin Key Laboratory of Organic Solar Cells and Photochemical Conversion, Department of Applied Chemistry, State Key Laboratory of Crystal Materials, Tianjin Key Laboratory of Functional Crystal Materials, Institute of Functional Crystals, School of Integrated Circuit Science and Engineering, Tianjin University of Technology, No. 391 Binshui Xidao, Xiqing District, Tianjin 300384, P. R. China. caigangri@sina.com.

Nanoscale horizons
|February 25, 2026
PubMed
Resumen

Los investigadores desarrollaron novedosas películas delgadas de bicapas de óxido de estaño/disulfuro de estaño para dispositivos de memoria avanzados. Estas películas procesadas en solución permiten una conmutación resistiva eficiente y emulan funciones sinápticas para la computación neuromórfica.