Memoria de puerta flotante multibit con una ventana programable ultragrande

Ce Li1,2, Ning Lin3, Dongliang Yang1,2

  • 1Centre For Quantum Physics, Key Laboratory of Advanced Optoelectronic Quantum Architecture and Measurement (MOE), School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing, China.

Resumen

Los investigadores desarrollaron un novedoso dispositivo de memoria de heterounión de ditelururo de molibdeno/nitruro de boro hexagonal/grafeno multilaminado. Este avance ofrece alta densidad, operación rápida e integración optoelectrónica para la computación avanzada y el procesamiento de información.