Modulador de microranura de silicio NRZ de 180 Gb/s eficiente en banda C que supera los 100 GHz de ancho de banda

Área de la Ciencia:

• Fotónica
• Ingeniería Eléctrica
• Ciencia de Materiales

Sus antecedentes:

• La fotónica de silicio es crucial para la comunicación óptica de alta velocidad.
• Los moduladores de microranura ofrecen soluciones de modulación compactas y eficientes.
• Los formatos de modulación avanzados son esenciales para aumentar las velocidades de datos.

Objetivo del estudio:

• Diseñar y demostrar un modulador de microranura de silicio de alto rendimiento.
• Lograr un ancho de banda electro-óptico amplio y un Vπ·L bajo.
• Habilitar formatos de modulación avanzados para la transmisión de datos de alta velocidad.

Principales métodos:

• Diseño y fabricación de un modulador de microranura de silicio en una plataforma comercial.
• Caracterización experimental del ancho de banda electro-óptico y Vπ·L.
• Prueba de formatos de modulación NRZ de 180 Gb/s y PAM-4 de 280 Gb/s.

Principales resultados:

• Se logró un ancho de banda electro-óptico de 3 dB superior a 100 GHz.
• Se demostró un Vπ·L bajo de 0.4 V·cm con un sesgo de -2 V.
• Se habilitaron formatos de modulación por debajo del umbral de corrección de errores de avance de decisión blanda de 2.4 × 10⁻².

Conclusiones:

• El modulador de microranura de silicio desarrollado satisface las demandas de la comunicación óptica de alta velocidad.
• El rendimiento del dispositivo facilita formatos de modulación avanzados para una mayor capacidad de datos.
• La integración con técnicas de ecualización mejora aún más la fiabilidad de la transmisión de datos.