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Updated: Aug 6, 2026

Epitaxial Growth of Perovskite Strontium Titanate on Germanium via Atomic Layer Deposition

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Published on: July 26, 2016

Transistor de efecto de campo ferroeléctrico basado en heteroestructuras epitaxiales de perovskita

Mathews¹, Ramesh, Venkatesan

¹S. Mathews, Department of Materials and Nuclear Engineering, University of Maryland, College Park, MD 20742, USA. R. Ramesh, Department of Materials and Nuclear Engineering and Center for Superconductivity Research, University of Maryland, College Park, MD 20742, USA. T. Venkatesan, Center for Superconductivity Research, University of Maryland, College Park, MD 20742, USA. J. Benedetto, Army Research Laboratory, Adelphi, MD 20783-1197, USA.

Science (New York, N.Y.)

|April 11, 1997

Resumen

Los dispositivos de efecto de campo ferroeléctrico que utilizan manganatos de tierras raras dopados demuestran propiedades de semiconductores sintonizables para la memoria no volátil. Esta investigación muestra un dispositivo con modulación de conductividad significativa y pérdida mínima de datos.

Área de la Ciencia:

Ciencia de los materiales Ciencia de los materiales.
Física de la materia condensada Física de la materia condensada
Ingeniería de dispositivos Ingeniería de dispositivos.

Sus antecedentes:

Los dispositivos de efecto de campo ferroeléctrico son prometedores para aplicaciones de memoria activa no volátil.
Los manganatos de tierras raras, conocidos por su colosal magnetorresistencia, se exploran como materiales de canal de semiconductores.

Objetivo del estudio:

Investigar el uso de manganatos de tierras raras dopados en dispositivos de efecto de campo epitaxial para aplicaciones de memoria.
Para demostrar la sintonizabilidad de la concentración de portadores en canales de semiconductores basados en manganato.

Principales métodos:

Fabricación de un prototipo de dispositivo de efecto de campo epitaxial utilizando La0.7Ca0.3MnO3 como el canal semiconductor.
Integración de PbZr0.2Ti0.8O3 como el material de la puerta ferroeléctrica.
Ajuste de la concentración del portador mediante la estequiometría de manganato variable.

Principales resultados:

Logró una modulación en la conductividad del canal de al menos un factor de 3.
Se observó una pérdida de retención de solo el 3 por ciento después de 45 minutos de operación sin alimentación.
Se ha demostrado un control efectivo de las propiedades del canal de los semiconductores a través de puertas ferroeléctricas.

Conclusiones:

Los manganatos de tierras raras dopados son materiales semiconductores viables para dispositivos de memoria de efecto de campo ferroeléctrico.
El dispositivo demostrado exhibe un rendimiento prometedor para aplicaciones de memoria no volátil.
El control de estequiometría ofrece un método para ajustar las características del dispositivo.

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