Emisión direccional de alta potencia de los micro láseres con resonadores caóticos

Área de la Ciencia:

• Óptica y Fotónica.
• Física de los dispositivos de semiconductores Física de los dispositivos de semiconductores

Sus antecedentes:

• Los láseres semiconductores convencionales a menudo exhiben una direccionalidad y una potencia de salida limitadas.
• Los modos de galería de susurros en los resonadores circulares restringen las características del haz.

Objetivo del estudio:

• Desarrollar láseres semiconductores de alta potencia y altamente direccionales.
• Para investigar el efecto de los resonadores ópticos deformados en el rendimiento del láser.

Principales métodos:

• Fabricación de láseres de microcilindros semiconductores con secciones transversales deformadas.
• Análisis de los modos de resonancia óptica, específicamente comparando los modos de "arco y corbata" con los de "galería de susurros".
• Medición de la potencia de salida de campo lejano en direcciones favorables.

Principales resultados:

• Se lograron aumentos de potencia de hasta tres órdenes de magnitud en direcciones favorables de campo lejano.
• Demostró un rendimiento superior con la resonancia "bow-tie" en resonadores altamente deformados.
• Se observó una transición de los modos de "galería de susurros" a "arco y corbata" con una deformación creciente.

Conclusiones:

• Los resonadores ópticos de sección transversal deformada permiten mejoras significativas en la potencia y direccionalidad del láser.
• La resonancia "bow-tie" es clave para mejorar el rendimiento en estos nuevos diseños de láser.
• Este concepto de resonador es ampliamente aplicable a varios láseres de semiconductores y materiales de alto índice de refracción.