半導体ベースの光子メモリーセル
Zimmermann1, Wixforth, Kotthaus
1Sektion Physik and Center for Nanoscience, Ludwig-Maximilians-Universität, Geschwister-Scholl-Platz 1, D-80539 München, Germany. Walter-Schottky-Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall, D-85748 Garching, Germany.
Science (New York, N.Y.)
|February 26, 1999
まとめ
研究者らは,光子信号を格納する半導体メモリーセルを開発した. このブレークスルーにより,光子の貯蔵時間が自然寿命の1万倍以上延長され,新しい光学コンピューティングの可能性が生まれます.
科学分野:
- 固体物理学 固体物理学とは
- 量子エレクトロニクスとは
- フォトニクス フォトニクスとは
背景:
- 光子信号の効率的な貯蔵は,光学コンピューティングと量子情報処理において極めて重要です.
- 既存の方法は,貯蔵期間が短く,実用的な応用が限られていることが多い.
研究 の 目的:
- 半導体ベースの新しいメモリ・セルで光子信号の効率的かつ長期の記憶を実証する.
- 調節可能な静電超網を使って光子貯蔵と回収のメカニズムを調査する.
主な方法:
- 量子井戸を備えた半導体メモリーセルを使用して,インシデント光子から生成された電子穴ペアを保存しました.
- 量子井戸ポテンシャルを調節するために,フィールド効果調節可能な静電超格子を使用した.
- 大きな超格子ポテンシャル幅度での貯蔵時間を調査し,超格子振幅を平らにして放出を誘発しました.
主要な成果:
- フォトニック信号の効率的な貯蔵を達成しました.
- 電子穴ペアの貯蔵時間を自然寿命を超えて少なくとも5倍の長さに延長しました.
- 収納された光子の制御された放出が,短時間,強烈な不協和光の閃光で実証された.
結論:
- 開発された半導体メモリー・セルは,長期にわたる光子信号貯蔵のための有望なプラットフォームを提供します.
- フィールド効果調節可能な静電超網は,延長された貯蔵時間と制御された放出を達成するための鍵です.
- この技術は,光学データの保存と処理を進める上で重要な意味を持ちます.
