単結晶ビスムート薄膜の電極沈着による大きな磁気抵抗
1Department of Physics and Astronomy, Department of Materials Science and Engineering, The Johns Hopkins University, Baltimore, MD 21218, USA.
Science (New York, N.Y.)
|May 21, 1999
まとめ
高品質の単結晶ビスムート薄膜が製造され,室内および低温で有意な磁気抵抗性を示した. これらのフィルムは,その優れた特性により,高度な電子アプリケーションの可能性を証明しています.
科学分野:
- 材料科学 材料科学とは
- 凝縮物質物理学 凝縮物質物理学
背景:
- ビスムスの薄膜は,電子アプリケーションに有望である.
- 高品質のフィルムは,有意な磁気抵抗を観測するために不可欠です.
研究 の 目的:
- シングル結晶ビスムスの薄膜を製造するために.
- 磁気抵抗性特性を調べるために.
- ハイブリッド構造における潜在的な応用を探求する.
主な方法:
- ビスムスの電極置換.
- フィルム品質の向上のためにアニリング.
- ハイブリッド構造物の製造.
主要な成果:
- マグネト抵抗は300Kで最大250%,K5で最大380,000%に達する.
- シュブニコフ・デ・ハース振動の観測により,フィルムの質が高いことが示された.
- ハイブリッド構造は200OEで30%の磁気抵抗を示し,室温で0.2%のOE感度を示した.
結論:
- シングル結晶ビスムート薄膜は,優れた磁気抵抗性を持っています.
- 製造されたフィルムは,高度な電子機器に適しています.
- ハイブリッド構造は,室温で有意な磁気抵抗性を提供します.
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