100ナノメートルの空間解像度で局所株の非破壊的決定

科学分野:

• マテリアルサイエンス 材料科学
• 固体物理 固体物理学
• マイクロエレクトロニクス エンジニアリング

背景:

• 現代のマイクロエレクトロニクスは,10〜100ナノメートルのスケールの構造に依存しています.
• 張力場によるナノスケールの格子歪みは,デバイスの性能に予測不能な影響を及ぼします.
• ラーマン光譜法や電子 difraktionのような既存のストレイン特徴付け方法は,解像度,サンプル準備,または感度に制限があります.

研究 の 目的:

• 高度な空間解像度と感度を持つストレインフィールドを特徴付けるための非破壊的方法を開発する.
• マイクロ電子機器におけるナノスケールのストレスを分析するための既存の技術の限界を克服する.
• クリティカルなデバイスの特徴の下のストレートディーププロフィールの正確な測定を可能にするために.

主な方法:

• X線を用いた放大 difrraction 画像処理の手続きの開発.
• 1次元で100nmの空間解像度を達成する.
• 相対格子変数に対して 10^-4 の感度を達成する.
• シリコン結晶の酸化線の下のストレート深さのプロフィールを測定するための技術の適用.

主要な成果:

• 開発されたX線 difrraction imaging手順は,100nmの空間解像度を達成しました.
• この方法は,相対格子変動を検出するための高感度 (10^-4) を示した.
• シリコンの酸化線の下のストレートディーププロファイルが測定され,その技術の有用性が確認されました.
• この技術は,ナノスケールでの非破壊的なストレイン分析に適していることが証明されました.

結論:

• 拡大X線 difrraction imagingは,マイクロエレクトロニクスにおけるナノスケールストレイン分析のための強力な新しいツールを提供します.
• この技術は,X線およびその他の方法に関連する以前の解像度および浸透深さの制限を克服します.
• ストレンスフィールドを非破壊的に特徴づける能力は,マイクロ電子機器の設計と信頼性を向上させるために不可欠です.