カーボンナノチューブ-グラファイトインターフェースの調節可能な抵抗
S Paulson1, A Helser, M B Nardelli
1Department of Physics and Astronomy, Department of Computer Science, University of North Carolina-Chapel Hill, Chapel Hill, NC 27599, USA.
Science (New York, N.Y.)
|December 2, 2000
まとめ
電子の移転は通常,エネルギー保存によって説明されます. この研究は,モメンタム保存が,炭素ナノチューブとグラファイトシステムにおける交差点抵抗にも大きく影響し,原子並びによって10倍以上変化することを示しています.
科学分野:
- マテリアルサイエンス 材料科学
- 凝縮物質物理学 凝縮物質物理学
- ナノテクノロジー ナノテクノロジー
背景:
- 材料間の電子転送は,通常,エネルギー保存に焦点を当てています.
- 交差点抵抗におけるモメンタム保存の役割は,しばしば見過ごされている.
研究 の 目的:
- 交差点抵抗に対するモメンタム保存の影響を調査する.
- 炭素ナノチューブ-グラファイト系における原子格子並びと接触抵抗の関係を探求する.
主な方法:
- 炭素ナノチューブとグラファイト基板の間の接点の製造.
- 原子格子間の角的配列の体系的な変化.
- 交差点の抵抗を測定する.
主要な成果:
- 接触抵抗は,角の整列を基に数桁以上変化した.
- 調整と抵抗の間の制御され,再現可能な関係を示した.
- 交差点抵抗に対するモメンタム保存の有意な影響を強調した.
結論:
- 運動量保存は,グラフェンベースのシステムにおける交差点抵抗に影響を与える重要な要因です.
- 原子格子配列は,炭素ナノチューブ装置の接触抵抗を調節するための重要なパラメータです.
- 発見は,炭素ナノチューブとグラフェンに基づいた電子機器の設計と最適化のための新しい洞察を提供します.
