単一壁の炭素ナノチューブの欠陥による共振電子散乱
M Bockrath1, W Liang, D Bozovic
1Department of Physics, Department of Chemistry and Chemical Biology, Harvard University, Cambridge, MA 02138, USA.
Science (New York, N.Y.)
|February 24, 2001
まとめ
金属炭素ナノチューブの欠陥は,抵抗の大きな変化を引き起こす. これらの欠陥は共振電子の散乱を可能にし,量子ドットを形成し,ナノチューブ電子に影響を及ぼします.
科学分野:
- マテリアルサイエンス 材料科学
- 凝縮物質物理学 凝縮物質物理学
- ナノテクノロジー ナノテクノロジー
背景:
- 金属単壁カーボンナノチューブ (SWCNTs) は,電子アプリケーションに有望である.
- 欠陥を理解することは,SWCNTのプロパティを制御するために非常に重要です.
研究 の 目的:
- 個々の金属SWCNTの欠陥を特徴付けるために.
- 電気輸送特性に対する欠陥の影響を調査する.
- 新規の電子機器を作成するための欠陥の可能性を探求する.
主な方法:
- 室温および低温での輸送測定.
- スキャンゲート顕微鏡でローカル電子ポテンシャルを検知する.
- ゲート電圧依存抵抗と共振散射現象の分析.
主要な成果:
- 金属SWCNTの有意な部分は,室温でゲート依存抵抗を示しています.
- 欠陥による共振電子散乱が原因として特定されました.
- 散乱共振ピークで約0.5の反射係数を測定した.
- イントラチューブ量子ドット装置は,2つの欠陥を使用して成功裏に製造されました.
結論:
- 金属SWCNTの欠陥は,その電気輸送に大きく影響する.
- 欠陥による共振分散は,抵抗に影響する重要なメカニズムです.
- これらの欠陥は,SWCNTs内の機能的な量子ドットデバイスを設計するために利用することができます.
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