MgB2の超伝導性薄膜は,39ケルビンという移行温度を持つ
1National Creative Research Initiative Center for Superconductivity, Department of Physics, Pohang University of Science and Technology, Pohang 790-784, Korea. wnkang@postech.ac.kr
Science (New York, N.Y.)
|April 17, 2001
まとめ
高品質のマグネシウムジボリド (MgB2) 薄膜が製造され,超伝導的移行温度39Kを示しました. これらのフィルムは,高臨界電流密度のため,電子機器の潜在能力を示しています.
科学分野:
- マテリアルサイエンス 材料科学
- 凝縮物質物理学 凝縮物質物理学
- 超伝導性は超伝導性である.
背景:
- マグネシウムジボリド (MgB2) は,高い臨界温度を持つ有望な超伝導体です.
- 高品質のMgB2薄膜の開発は,実用的なアプリケーションに不可欠です.
研究 の 目的:
- 高品質でc軸方向のエピタキシアルMgB2薄膜を製造する.
- 超伝導性の性質を特徴付け,電子機器への潜在能力を評価する.
主な方法:
- パルスレーザー沈着 (PLD) を使用して,Al2O3基板にMgB2薄膜を成長させました.
- 結晶の構造と向きを分析するために,X線微分法 (XRD) を用いた.
- 移行温度と臨界電流密度を含む超伝導特性が測定されました.
主要な成果:
- 高品質の,c軸方向のエピタキシアルMgB2薄膜が成功裏に製造されました.
- フィルムは39Kの超伝導的移行温度 (Tc) を示した.
- 高臨界電流密度が達成されました: ~6 x 10^6 A/cm^2 5 Kで, ~3 x 10^5 A/cm^2 35 Kで,磁場ゼロで.
結論:
- 製造されたMgB2薄膜は,優れた超伝導性を持っています.
- その高い臨界電流密度は,マイクロ波装置や超伝導量子干渉装置 (SQUID) での応用の大きな可能性を示している.
- これらの優れた性能特性を達成するために,c軸の方向性は極めて重要です.
