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P G Collins¹, M S Arnold, P Avouris

¹IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY 10598, USA.

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|April 28, 2001

まとめ

研究者らは,多壁ナノチューブ (MWNT) と単壁ナノチューブ (SWNT) のロープから炭素殻を選択的に除去する方法を開発しました. このプロセスは,それらの電子特性を調整し,金属または半導体導体およびナノスケールトランジスタの作成を可能にします.

科学分野:

マテリアルサイエンス材料科学
ナノテクノロジーナノテクノロジー
凝縮物質物理学凝縮物質物理学

背景:

炭素ナノチューブ (CNT) は,金属または半導体である様々な電子特性を表しています.
断壁ナノチューブ (MWNT) と単壁ナノチューブ (SWNT) のロープは,複数のシェルまたはバンドルされたチューブによる多様な電子構造を持つ複雑な導体です.

研究の目的:

MWNTおよびSWNTロープから選択的にカーボンシェルを除去する方法を開発する.
これらの複合ナノ構造物の電子特性を調整するために.
カスタマイズされた金属または半導体導体およびナノスケールデバイスの作成を可能にします.

主な方法:

MWNTから個々の炭素殻を段階的に除去するための信頼性の高い技術を示しました.
SWNTロープに選択的殻除去を適用しました.
個々のシェルの電子特性を特徴づけ,CNT構造を改変した.

主要な成果:

特定の殻を選択することによって,MWNTを金属または半導体導体に成功裏に変換しました.
マルチシェルシステムにおける輸送特性を理解する課題に取り組んだ.
半導体分子を分離することによって,SWNTロープからナノスケールフィールド効果トランジスタの配列を生成しました.

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結論:

選択的なカーボンシェルの除去は,MWNTとSWNTロープの電子的振る舞いを調節するための正確な方法を提供します.
このアプローチは,電子アプリケーションに合わせたナノ材料を製造するための経路を提供します.
この技術は,フィールド効果トランジスタを含む,新しいナノスケールデバイスの開発を容易にする.