超臨界の二酸化炭素からコンフォーム銅とニッケルフィルムの堆積

科学分野:

• マテリアルサイエンス 材料科学
• 化学工学は化学工学というものです.
• ナノテクノロジー ナノテクノロジー

背景:

• 先進的な半導体製造には,導電性フィルムの正確な堆積が必要です.
• 高アスペクト比の特徴のコンフォームコーティングと空隙のない充填は,重要な課題です.
• 既存の方法は,ナノスケールの特徴の均一性と効率性に苦戦することが多い.

研究 の 目的:

• デバイス品質の銅とニッケルフィルムのための新しい堆積技術を開発する.
• 特殊なステップカバーとナノスケール機能の完全な充填を達成するために.
• 高い比率の相互接続構造の単段階の製造を可能にするために.

主な方法:

• 溶性有機金属前体を用いた銅とニッケル膜の沈殿.
• 超臨界二酸化炭素溶液における水素還元を利用する.
• 平面およびエッチされたシリコン,ネイティブ酸化物,および金属窒化物を含む基板を使用します.

主要な成果:

• 卓越したステップカバーでデバイス品質の銅とニッケルフィルムを達成しました.
• 高アスペクト比の特徴 (<100 nm 幅) の完全な充填が実証されています.
• ニッケルを60°C,銅を250°Cまで沈殿し,表面に直接沈殿することができました.

結論:

• 超臨界の二酸化炭素ベースの堆積は,高度な金属化のための実行可能な経路を提供します.
• この方法は,集積回路の高面比機能充填のための1段階のソリューションを提供します.
• この技術は,次世代の統合回路の相互接続構造に不可欠です.