平らな基板の上に,長さミリメートル,水平に並べられた単一壁の炭素ナノチューブの成長

科学分野:

• マテリアルサイエンス 材料科学
• ナノテクノロジー ナノテクノロジー
• 化学工学は化学工学というものです.

背景:

• 炭素ナノマテリアルの制御された合成は,高度なアプリケーションにとって極めて重要です.
• シングルウォールカーボンナノチューブ (SWNT) は,ユニークな電子的,機械的特性を有しています.
• 既存の方法は,大規模でオーダーされたSWNT生産に苦労することが多い.

研究 の 目的:

• ミリメートルの長さで,よく並べられたSWNTsを生産する方法を開発する.
• ナノチューブの指向とネットワーク形成の制御を調査する.
• SWNTベースのナノデバイスのスケーラブルな製造を可能にするために.

主な方法:

• シリカ/シリコン基板に一酸化炭素 (CO-CVD) を加えた化学蒸気堆積 (CVD) を利用した.
• 成長中のガスの流れを制御し,ナノチューブの方向性を直接にします.
• 多段階のプロセスを採用し,多次元的なクロスネットワークを生成しました.

主要な成果:

• ミリメートルの長さで,順調に配置されたSWNT配列を成功裏に製造しました.
• ガス流の操作でSWNTの制御された方向化を達成しました.
• 長さ2mmを超える個々の直線ナノチューブが実証されています.
• 多段階合成によるSWNTの多次元クロスネットワークを生成.

結論:

• CO-CVDメソッドは,並べられたSWNT配列の制御された成長のための経路を提供します.
• この技術は,制御可能な方向性を有する長い個々のSWNTの生産を容易にする.
• 組織化されたSWNT構造を作成する能力は,大規模ナノデバイス製造の機会を開きます.