1~2nm直径の電子構造 シリコンコア/シェルナノ結晶:表面化学,光学スペクトル,電荷移転,ドーピング
Zhiyong Zhou1, Richard A Friesner, Louis Brus
1Chemistry Department, Columbia University, New York, NY 10027, USA.
Journal of the American Chemical Society
|December 11, 2003
まとめ
密度関数計算を用いて,シリコンナノ結晶 (Si NCs) を調査しました. 異なる表面受動化方法とドーピングは,単純な量子サイズ効果から逸脱して,それらの電子的および光学的性質を大幅に変化させます.
科学分野:
- コンピューティング・マテリアル・サイエンス・サイエンス
- ナノ科学とナノテクノロジー
- 量子化学とは,量子化学である.
背景:
- シリコンナノ結晶 (SiNCs) は量子閉じ込め効果を示し,その電子的および光学的性質に影響を与えます.
- 表面の被動化は,Si NCを安定させ,その振る舞いを調節するために不可欠です.
- SiNCにおけるドーピングの理解は,電子工学におけるその応用に不可欠である.
研究 の 目的:
- Si NCs.に対する様々な表面受動化スキーム (F,H,酸化物,アルカン) の影響を調査する.
- 最も高い占有分子軌道 (HOMO),最も低い未占有分子軌道 (LUMO),光学スペクトル,電子移転に対する被動化の影響を予測する.
- 不純物原子 (Al,P) を用いて量子限定のSi NCで電気ドーピングを調査する.
主な方法:
- 静的および時間依存密度関数計算 (DFT) が採用されました.
- ジオメトリックの最適化とオール電子計算は,SiNCからSi(87) H(76) までのSiNCに対して行われました.
- 電子陰性比は,量子サイズ効果モデルからの偏差を分析するために使用されました.
主要な成果:
- 異なるsp(3) の受動化方式 (F,H,酸化物,アルカン) は,Si NCのHOMO,LUMO,光学スペクトルを著しく変更する.
- 電子負の差異は,標準量子サイズ効果からの偏差を説明する.
- 表面と内部の両方でアルミニウム (Al) とリン (P) のドーピングは,電気ドーピング効果のために調査されました.
結論:
- 表面受動化戦略は,シリコンナノ結晶の電子的および光学的性質に重大な影響を及ぼします.
- Pのような不純物原子によるドーピングは,量子的に制限されたSi NCsにおける電気的変化を可能にします.
- 表面にぶら下がっている結合は,ドーパント電子と相互作用し,内部電荷移転を容易にします.
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