6H-SiC (0001) 表面の探査誘発原生酸化物の分解と局所的酸化:原子力顕微鏡による原子力顕微鏡による調査
Xian Ning Xie1, Hong Jing Chung, Hai Xu
1NUS Nanoscience & Nanotechnology Initiative, National University of Singapore, 2 Science Drive 3, Singapore, 117542.
Journal of the American Chemical Society
|June 17, 2004
まとめ
原子力顕微鏡 (AFM) は,カルビドシリコン (SiC) 表面の新しい操作を可能にします. この研究では,6H-SiCの酸化エッシングと局所的な酸化増殖を実証し,高次元比構造を達成しました.
科学分野:
- マテリアルサイエンス 材料科学
- 表面科学とは,地表科学である.
- ナノテクノロジー ナノテクノロジー
背景:
- 半導体表面の原生酸化物は,デバイス製造に課題をもたらす.
- 表面の変化を正確に制御することは,高度な材料にとって極めて重要です.
研究 の 目的:
- 原子力顕微鏡 (AFM) を使用して6H-SiC上の酸化物の分解と成長を調査する.
- SiCのAFM誘発された表面変化の背後にあるメカニズムを探求する.
- 潜在的応用のための成長した酸化物の性質を評価する.
主な方法:
- 偏った先を持つ原子力顕微鏡 (AFM) を使用して,6H-SiC.に表面反応を誘導する.
- オキシード分解とエッチングのためのAFMの先端にネガティブバイアスを適用する.
- 局所的な酸化物増殖のための拡張バイアスでAFMの先端を不動化する.
- I-V特性による電子輸送を分析し,介電強度を評価する.
主要な成果:
- 6H-SiCの原生酸化物は,ネガティブバイアスなAFMの先端によって分解され,線形構造に刻まれました.
- 局所的な酸化物成長は,動かないAFMの先端と十分なバイアスの持続時間で達成されました.
- SiCで栽培された酸化物は,アニゾトロピックOH ((-)) 拡散に起因するSiと比較して,著しく高い比率を示した.
- AFMで培った酸化物の電子輸送と介電特性が特徴付けられました.
結論:
- AFMは,6H-SiCのナノスケールの表面工学のための強力なツールを提供します.
- SiC結晶のアニゾトロプ的性質は,AFMによって生成される酸化物の形態学に影響を与えます.
- 特徴づけられたAFM培養オキシドは,SiCベースのデバイスにおける介電性アプリケーションの有望性を示しています.
