BN

Chengchun Tang1, Yoshio Bando, Yang Huang

  • 1Advanced Materials Laboratory, National Institute for Materials Science, Namiki 1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan. tang.chengchun@nims.go.jp

まとめ

フッ素化により,ボロン・ニトリド (BN) のナノチューブを半導体に変換する. このプロセスはまた,曲線でフッ素を添加したBNシートを生成し,それらの電子特性を変化させます.