(n,m)

Sergei M Bachilo1, Leandro Balzano, Jose E Herrera

  • 1School of Chemical Engineering and Materials Science, University of Oklahoma, 100 East Boyd Street, Norman, Oklahoma 73019, USA.

まとめ

研究者は,新しい化学蒸気堆積法 (CVD) を用いて,単一壁の炭素ナノチューブ (SWNTs) の選択的成長を達成しました. このプロセスは主に,直径を制御した特定の半導体SWNT構造 (6,5) と (7,5) を生成します.