磁気的に並べられたディスク液晶半導体におけるフィールド効果トランジスタの移動性の高いアニソトロピー性
Igor O Shklyarevskiy1, Pascal Jonkheijm, Natalie Stutzmann
1High Field Magnet Laboratory, Institute for Molecules and Materials, Radboud University Nijmegen, Toernooiveld 7, 6525 ED Nijmegen, The Netherlands.
Journal of the American Chemical Society
|November 17, 2005
まとめ
磁場はヘクサベンゾコロネン (HBC) 分子を並べ,高度に指向したフィルムを作成します. この方法は,溶液処理フィールド効果トランジスタ (FET) の電荷キャリアの移動性を高め,高移動性アニソトロピーにつながります.
科学分野:
- マテリアルサイエンス 材料科学
- オーガニック・エレクトロニクス
- ナノテクノロジー ナノテクノロジー
背景:
- 高度なオーダーを持つ有機半導体膜は,高度な電子機器にとって極めて重要です.
- 薄膜の分子配列を制御することは,有機電子学の課題です.
研究 の 目的:
- 代替ヘクサベンゾコロネン (HBC) 分子を指向するために磁場の使用を調査する.
- 溶液処理フィールド効果トランジスタ (FET) を磁気的に整列されたHBCフィルムを使用して製造および特徴づけること.
主な方法:
- 膜の沈着時に磁場を適用し,分子指向を達成する.
- 光学顕微鏡と広角X線測定を用いてフィルム構造を分析する.
- フィールドエフェクトトランジスタ (FET) を製造し,電荷キャリアの移動性とアニソトロピーを測定します.
主要な成果:
- 磁場に並べられた分子平面を持つ,広範囲で高度に指向したHBC単一領域を達成した.
- 組み立てられたFETは,非整列材料と比較して,電荷キャリアの移動性が著しく向上している (最大10~-3cm2/Vs).
- 高移動性アニソトロピー (25-75) を観察し,磁場に垂直に指向した繊維の上部構造を特定した.
結論:
- 磁場調整は,高度にオーダーされた有機半導体フィルムを生産するための効果的な方法です.
- ラインナップされたHBCフィルムは,アニソトロプ的電荷輸送特性を持つ高性能FETの製造を可能にします.
- デバイスの性能は,分子配列,上層構造形成,電極間隔の相互作用によって影響を受けます.
