Mark A Foster1, Amy C Turner, Jay E Sharping

  • 1School of Applied and Engineering Physics, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA.

Nature
|June 23, 2006
PubMed
まとめ

シリコンの光学増強帯域幅の拡大は,シリコンフォトニクスにとって極めて重要です. この研究は,シリコン・オン・インソレーター波導体における4波混合を用いて28nmの増幅帯域幅を実証し,密度の高い波長分割マルチプレクスを可能にしました.