使3

Jong-Hyun Ahn1, Hoon-Sik Kim, Keon Jae Lee

  • 1Department of Materials Science and Engineering, University of Illinois, Urbana-Champaign, IL 61801, USA.

Science (New York, N.Y.)
|December 16, 2006
PubMed
まとめ

研究者は,炭素ナノチューブ,ガリウム窒化物,シリコン,ガリウムアルセニドを含む多様な半導体ナノ材料を先進的な電子システムに統合するための簡単な方法を開発しました. このブレークスルーにより,機能が強化された新しい2Dおよび3Dの電子デバイスアーキテクチャが可能になります.

関連する概念動画