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CMOS互換性半導体アプリケーションのためのClnH6-nSiGe化合物:合成と基礎研究

Jesse B Tice¹, Andrew V G Chizmeshya, Radek Roucka

¹Department of Chemistry/Biochemistry, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287-1604, USA.

Journal of the American Chemical Society

|June 6, 2007

まとめ

研究者らは,半導体アプリケーションのための新しい塩素化されたシリコン-ゲルマーニウム水素を合成した. これらの化合物は,CMOS技術と互換性のある制御された成長を可能にし,先進的な材料への実行可能な経路を提供します.

科学分野:

マテリアルサイエンス材料科学
無機化学無機化学とは
化学工学は化学工学というものです.

背景:

シリコン-ゲルマーニウム (Si-Ge) 化合物は,先進的な半導体装置にとって極めて重要です.
Si-Ge前駆物の制御された合成は,新しい材料の特性とデバイスの機能性を可能にするために不可欠です.

研究の目的:

塩素化Si-Ge水化物 (ClnH6-nSiGe) の新しいファミリーを合成し,特徴づけること.
半導体アプリケーション,特にCMOS処理のための前駆体としての潜在能力を探求する.
これらの新しい化合物の構造的,熱化学的,振動的性質を調査する.

主な方法:

BCl3を用いたH3SiGeH3の選択的塩素化により,単塩素化および二塩素化デリバティブを生産する.
高級ポリ塩素化Si-Ge化合物の合成.
NMR,FTIR,および質量スペクトロスコピーを用いた特徴付け.
構造的および熱化学的分析のための第一原理密度関数理論の計算.
合成された前駆体からのSiGeフィルムの低温堆積.

主要な成果:

塩素化Si-Geヒドリドの新しいファミリー,ClnH6-nSiGe.の合成に成功しました.
半導体アプリケーションのシングルステップ合成経路の実行可能性が実証されました.
高反応性を持つ新型多塩素Si-Ge化合物の生産.
構造的および電子的動向の特徴と理論的説明.
望ましい微細構造と表面特性を有するステイキオメトリックに近いSiGeフィルムの堆積.

結論:

合成された塩素化Si-Ge水素は,高度なSiGe材料を作成するための汎用的なプラットフォームを提供します.
組み込みの塩素機能は,CMOS処理と互換性のある選択的成長を促進します.
これらの化合物は,半導体製造のための前駆物質の分野における重要な進歩を表しています.

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