kkhgr c60フィルムの電気抵抗性とステキオメトリ
Science (New York, N.Y.)
|January 10, 1992
まとめ
カリウムドーピングされたフルレン (C60) フィルムの電気抵抗性は,特定の濃度で室温に近い金属的振る舞いを示す. ドーピングレベルは伝導性に影響し,K3C60フィルムでは最小の抵抗性が観察されます.
科学分野:
- マテリアルサイエンス 材料科学
- 凝縮物質物理学 凝縮物質物理学
- 固体化学 固体化学
背景:
- フルレレン (C60) フィルムは,その電気的性質のために研究されています.
- フラーレンをアルカリ金属でドーピングすると,その電子的振る舞いは大きく変化します.
研究 の 目的:
- カリウム・ドーピングされたフルレレン (C60) フィルムの電気抵抗性を調べるために.
- ドーピング濃度と抵抗力の関係を決定する.
- 観測された電気的性質に影響を与える微細構造を理解する.
主な方法:
- 超高真空中のカリウムドーピング中にフラーレン薄膜の電気抵抗測定.
- K ((chi) C ((60)) フィルムの温度および濃度に依存する抵抗性測定.
- ステキオメトリーの決定のためのEx situラザフォード逆分散スペクトロメトリー.
主要な成果:
- レジスティビリティの移行は,金属 (at chi ≈ 3) から活性化 (as chi → 0 または 6) へと変化する.
- 最低レジスティビティは,Mottの限界に近い,K ((3) C ((60)) フィルムで2.2マイクロオームセンチメートルである.
- 提案された粒状マイクロ構造モデルで,K(3) C(60) 領域が非貫通性粒子を形成しています.
結論:
- カリウムドーピング濃度は,フルレンフィルムの電気抵抗性に重大な影響を及ぼします.
- ステキオメトリーK ((3) C ((60)) は最小抵抗性を示し,金属の振る舞いを示唆しています.
- 粒状の微細構造は,ドーピングされたフルレレンフィルムの伝導性に影響を与えます.
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