クロモフォール化により,溶性アンスラジチオフェン半導体の結晶化と安定性が向上します
Sankar Subramanian1, Sung Kyu Park, Sean R Parkin
1Department of Chemistry, University of Kentucky, Lexington, Kentucky 40506, USA.
溶性アンスラジチオフェン誘導体の部分化により,熱および光安定性が著しく向上します. これにより,p型半導体の性能が向上し,1つの派生物が結晶膜で高孔移動性を達成し,もう1つの派生物が,フリースタンド結晶で高孔移動性を達成します.
科学分野:
- オーガニック・エレクトロニクス
- 材料科学は材料科学である.
- 半導体物理学の物理
背景:
- 溶解性アントラディチオフェン誘導体は有機半導体として有望である.
- これらの材料の安定性および電荷輸送特性の向上は,デバイスのアプリケーションにおいて極めて重要です.
研究 の 目的:
- 溶性アンスラジチオフェン誘導体の安定性および半導体特性に対する部分フッ素化の影響を調査する.
- オーガニックの電子機器のためのこれらの改変材料の可能性を調査する.
主な方法:
- 部分的に酸化したアンスラジチオフェン誘導体の合成.
- 材料の安定性 (熱と光) の特性.
- オーガニックフィールドエフェクトトランジスタ (OFET) の製造と電気的特徴.
- 薄膜および単結晶の結晶性の評価.
主要な成果:
- 部分フッ素化により,非フッ素化アナログと比較して熱および光安定性が劇的に改善されました.
- トライエチルシリルで置換された誘導体は,穴の可動性 > 1.0 cm(2) / V s. の高結晶膜を形成しました.
- トライソプロピルシリル誘導体は,0.1cm(2) /Vsまでの穴の移動性を示す大型の高品質の結晶を形成しました.
結論:
- 部分フッ素化は,溶性アンスラジチオフェンベースのp型半導体の安定性を高めるための効果的な戦略です.
- これらの材料は,トランジスタを含む,高性能な有機電子アプリケーションのための大きな可能性を示しています.
- 高度結晶膜と大きな単結晶を形成する能力は,高度なデバイス製造の道を開きます.
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