パイセンの薄膜を搭載した空気補助高性能フィールド効果トランジスタ
Hideki Okamoto1, Naoko Kawasaki, Yumiko Kaji
1Division of Chemistry and Biochemistry, Okayama University, Okayama 700-8530, Japan. hokamoto@cc.okayama-u.ac.jp
Journal of the American Chemical Society
|July 17, 2008
まとめ
この研究は,環境条件下での優れた性能を持つピケーンベースのフィールド効果トランジスタ (FET) を提示しています. 空気支援FETは,高度なモビリティとオンオフ比を示しており,実用的な応用の可能性を示唆しています.
科学分野:
- オーガニック・エレクトロニクス
- 半導体デバイス物理学の物理
- マテリアルサイエンス 材料科学
背景:
- フィールドエフェクトトランジスタ (FET) は,基本的な電子部品です.
- オーガニック半導体は,柔軟で低コストな電子機器の可能性を秘めています.
- ピケンは有望な電子特性を有する有機半導体です.
研究 の 目的:
- ピセンの薄膜を用いたフィールドエフェクトトランジスタの製造と特徴付け.
- 大気条件下でのピケネFETの性能を調査する.
- デバイスの特性に対する空気/酸素の影響を理解する.
主な方法:
- SiO2ゲートダイエレクトリックにピセンの薄膜でFET装置の製造.
- FETの電気的特徴,フィールド効果の移動性とオンオフ比率の測定を含む.
- デバイスの性能に対する温度と空気/酸素への曝露の影響の調査.
主要な成果:
- ピケンのFETはpチャンネル強化型の特徴を示した.
- フィールドエフェクトモビリティ (μ) が1.1cm2V−1s−1と,オンオフ比>10^5.5を達成しました.
- デバイスの性能は,温度上昇と空気または酸素への長期曝露により改善され,空気 (O2) 補助メカニズムを示しています.
結論:
- 製造されたピセンFETは,大気条件下での優れた性能を示しています.
- デバイスの特徴は,空気/酸素によって大きく影響され,空気支援FETとしての有用性を示唆しています.
- 構造的地形図とエネルギー図のさらなる分析により,観測されたFETの行動に関する洞察が得られます.
