Li4Ti5O12

Kyu-Sung Park1, Anass Benayad, Dae-Joon Kang

  • 1Energy Group and Analytical Engineering Group, Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT), Samsung Electronics Co., Ltd., Yongin 446-712, Korea. ks337.park@samsung.com

まとめ

熱性窒化により,チタニウムチタネート (Li4Ti5O12) に導電性チタニウムニトリド (TiN) 膜が形成され,その構造が強化され,高電流密度での優れた電気化学性能が得られます.

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