100GHzのトランジスタは,ウェーファースケールのエピタキシアルグラフェンから作られています

科学分野:

• マテリアルサイエンス 材料科学
• 電気工学 電気工学とは
• 凝縮物質物理学 凝縮物質物理学

背景:

• グラフェンの特殊なキャリアモビリティは,高周波エレクトロニクスの鍵です.
• フィールドエフェクトトランジスタ (FET) は,高周波アプリケーションにおける重要なコンポーネントです.

研究 の 目的:

• エピタキシアルグラフェンを使用して製造されたトランジスタの高周波性能を調査するために.
• これらのグラフェントランジスタの性能を最先端のシリコントランジスタと比較するために.

主な方法:

• シリコンカービッド (SiC) ウェイフのシリコン面に成長したエピタキシアルグラフェンでFETの製造.
• 切断周波数とゲート長に焦点を当てたトランジスタ性能の特徴化.

主要な成果:

• 240ナノメートルのゲート長を持つトランジスタのカットオフ周波数100ギガヘルツを達成しました.
• 同じゲート長さのシリコントランジスタと比較して,高周波性能が優れていることが実証されています.

結論:

• エピタキシアルグラフェンは,次世代の高周波トランジスタのための有望な材料です.
• グラフェンFETは,高速の電子機器のためのシリコンベースの技術に比べて,著しく進歩しています.