アリレンダイミド-チオフェン誘導体に基づく有機nチャンネルフィールドエフェクトトランジスタ
Rocío Ponce Ortiz1, Helena Herrera, Raúl Blanco
1Department of Chemistry and the Materials Research Center, Northwestern University, 2145 Sheridan Road, Evanston, Illinois 60208, USA.
Journal of the American Chemical Society
|June 4, 2010
まとめ
研究者らは,アリレンダイミド-オリゴチオフェン構造に基づく新しいn型半導体を合成した. これらの材料は様々な薄膜トランジスタ性能を示し,そのうち1つは高い電子移動性を達成し,有機電子学の可能性を実証しています.
科学分野:
- オーガニック・エレクトロニクス
- マテリアルサイエンス 材料科学
- 半導体物理学の物理
背景:
- アリレンダイミド-オリゴチオフェン化合物は,n型半導体として有望である.
- 構造と性質の関係を理解することは,有機電子機器の最適化に不可欠です.
研究 の 目的:
- アリレンダイミド-オリゴチオフェン n型半導体の一連の合成と特徴づけ.
- 薄膜トランジスタの性能に対する構造変更の影響を調査する.
- オリゴチオフェンの骨幹連鎖,コア交換 (ナフタレンディイミド対ペリレンディイミド),フェニレン群導入の効果を分析する.
主な方法:
- アリレンダイミド-オリゴチオフェン誘導体の合成.
- 電気化学的特徴付けにより,酸化還元エネルギーが決定される.
- 薄膜トランジスタ製造と電気性能測定 (電子の移動性を含む).
- 溶液加工フィールド効果トランジスタの製造.
主要な成果:
- 合成されたシリーズ全体で同様のリドックスエネルギーが観察されました.
- 薄膜トランジスタの測定により,著しく異なる電荷輸送性能が明らかになった.
- ベンゾ[lmn]チエノ[3',4':4,5]イミダゾ[2,1-b][3,8]フェナントロリン-1,3,6(2H) -トリオン,2オクチル (NDI-1T) で最大0.35cm(2) V(-1) s(-1) の電子移動性が達成されました.
- イソキノ[6',5',4':10,5,6]アンスラ[2,1,9-デフ]チエノ[3',4':4,5]イミダゾ[2,1-a]イソキノリン-1,3,8(2H) -トリオン,2-(1-ヘプチロクチル) -10,12-ディ-2-チエニル (PDI-3T) の溶液処理トランジスタは,蒸気で堆積したフィルムよりも性能が優れている.
結論:
- 構造的変更は,アリレンダイミド-オリゴチオフェン半導体の電荷輸送特性に大きな影響を与える.
- この研究は,高性能なn型有機半導体の設計に関する貴重な洞察を提供します.
- 溶液で処理された有機フィールド効果トランジスタは,蒸気で堆積した同類型と比較して競争力のある性能を達成することができます.
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