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Field Effect Transistor

Field-effect transistors (FETs) are integral to electronic circuits and distinguished by their three-terminal setup: the gate, drain, and source. These transistors operate as unipolar devices, which utilize either electrons or holes as charge carriers, in contrast to bipolar transistors, which use both types of carriers. The primary function of the FET is to modulate the flow of these carriers from the source to the drain through a channel. The voltage difference between the gate and source...
Types of Semiconductors01:20

Types of Semiconductors

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Characteristics of MOSFET01:17

Characteristics of MOSFET

Metal-oxide-semiconductor field-effect Transistors, or MOSFETs, play a critical role in electronic circuits. They are primarily utilized for amplifying and switching signals.
Various vital parameters influence their functionality, which is crucial for theory and electronics applications. First, channel dimensions, precisely length, and width, are pivotal. The size of these channels affects the transistor's ability to carry current and switching speeds; shorter channels typically enable quicker...

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低温,高性能,溶液加工されたインジウム酸化物の薄膜トランジスタ.

Seung-Yeol Han1, Gregory S Herman, Chih-hung Chang

  • 1School of Chemical, Biological and Environmental Engineering, Oregon State University, Corvallis, Oregon 97331, USA.

Journal of the American Chemical Society
|March 23, 2011
PubMed
まとめ

溶液で処理されたインジウム (III) オキシード (In2O3) 薄膜トランジスタ (TFT) は高性能を達成します. 酸素/オゾン (O2/O3) の大気中の焼却は,より低い温度でTFTの特性を高めます.

科学分野:

  • マテリアルサイエンス 材料科学
  • エレクトロニクス・エレクトロニクス・エレクトロニクス
  • ナノテクノロジー ナノテクノロジー

背景:

  • インジウム (III) 酸化物 (In2O3) は,薄膜トランジスタ (TFT) の有望なn型半導体です.
  • Solution-processed製造方法は,従来の真空ベースの技術に対して,費用対効果が高く,スケーラブルな代替案を提供します.

研究 の 目的:

  • 溶液ベースのスピンコーティング方法を使用して高性能のIn2O3薄膜トランジスタ (TFT) を開発する.
  • In2O3 TFTの電気特性に対する冷却大気と温度の影響を調査する.

主な方法:

  • スピンコーティングによるIn2O3薄膜の製造は,アセトニトリル中のインジウム (III) クロリド (InCl3) 前駆体を使用し,膜の均一性のためにエチレングリコールを加える.
  • 空気またはO2/O3大気中の200~600°Cの温度で,In2O3薄膜の焼却.
  • フィールド・エフェクト・モビリティとオン/オフ電流比を含む,TFT性能の特徴.

主要な成果:

  • 空気で500°CでアニールしたTFTは,高フィールド効果の可動性を55.26cm2 V{-1) s{-1) とI{-on) /I{-off) の比率を10{-7}で示した.
  • 200~300°CでO2/O3でアネリングされたIn2O3 TFTは,0.85~22.14cm2のモビリティと10~5~10~6のV~1~1~1とI~on~I~offの比率で優れたn型振る舞いを示した.

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  • O2/O3のアンニング大気は,より低い加工温度でTFTの性能を大幅に向上させました.

    • 結論:

    • 溶液処理のIn2O3 TFTは,真空処理の装置に匹敵する高性能を達成することができます.
    • O2 / O3 の大気中の焼却は,In2O3 TFT の電気的性質を低温で改善するための効果的な戦略です.
    • この研究は,高性能のIn2O3ベースの電子機器のための実行可能な低温製造ルートを示しています.