水素化された無形シリコンの限られた高圧化学堆積
Neil F Baril1, Rongrui He, Todd D Day
1Department of Chemistry, Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania 16802, USA.
Journal of the American Chemical Society
|December 14, 2011
まとめ
研究者は,高品質の水素化された無形シリコン (a-Si:H) フィルムを生産するためにマイクロ/ナノ炉を使用して新しい方法を開発しました. この技術は,以前の制限を克服し,高度な電子および光学アプリケーションのための効率的な堆積を可能にします.
科学分野:
- 材料科学 材料科学とは
- 半導体物理学 半導体物理学
- ナノテクノロジー ナノテクノロジー
背景:
- 水素化された無形シリコン (a-Si:H) は,重要な半導体材料です.
- 高品質のa-Si:Hを生産するには,水素を組み込む低温堆積のための運動的障壁を克服する必要があります.
- 高濃度のシランを使用する従来の方法は,粒子の形成につながり,フィルム品質を阻害します.
研究 の 目的:
- 閉じ込められたマイクロ/ナノリアクターを用いてa-Si:Hのための新しい堆積方法の研究.
- 効率的なa-Si:H合成のために,高いシルラン濃度の使用を可能にするために.
- 望ましい電子および光学特性を有するa-Si:Hを生成する.
主な方法:
- 水素化された無形シリコン (a-Si:H) の堆積は,閉じ込められたマイクロ/ナノ原子炉に蓄積される.
- 極端なアスペクト比,小径の光ファイバー毛細血管テンプレートを使用しています.
- シラン (SiH(4) の高濃度の前駆体を使用しています.
主要な成果:
- よく発達したa-Si:Hフィルムを,従来の方法よりも著しく高いシラン濃度で成功裏に堆積させた.
- 製造されたa-Si:Hマイクロ/ナノワイヤは,光ファイバーの毛細血管テンプレート内にあります.
- 約0.5原子%の水素,受動性懸浮結合,および良好な電子特性を持つ半導体材料を達成しました.
結論:
- 閉じ込められたマイクロ/ナノリアクターの堆積は,高品質のa-Si:H.の生産における課題を克服します.
- この方法は,優れた性質を持つa-Si:Hマイクロ/ナノワイヤの効率的な合成を可能にします.
- その結果生じるa-Si:H素材は,非線形光ファイバーや太陽電池など,光学および電子アプリケーションに適しています.
