グラフェンバリストー (Graphene barristor) とは,ゲート制御のショットキーバリアを備えたトライオード装置である
Heejun Yang1, Jinseong Heo, Seongjun Park
1Graphene Research Center, Samsung Advanced Institute of Technology, Yongin 446-712, Korea.
まとめ
研究者らは,グラフェン変数バリアバリスター (GB) を開発し,高10^5のオン/オフ比を達成しました. グラフェンエレクトロニクスのこの画期的な進歩は,トランジスタ性能を改善するために新しいグラフェン-シリコンインターフェースを使用しています.
科学分野:
- マテリアルサイエンス 材料科学
- 半導体物理学 半導体物理学
- ナノエレクトロニクス ナノエレクトロニクス
背景:
- グラフェン電子の研究は,従来のデバイス構造で十分なオン/オフ電流比 (オン/オフ) を達成する上で課題に直面しています.
- 既存のグラフェントランジスタは,電流調節の限界のために,実用的な電子アプリケーションの性能要求を満たすためにしばしば苦労します.
研究 の 目的:
- 新しいデバイス構造を開発することで,従来のグラフェントランジスタの限界を克服する.
- グラフェンベースのアクティブデバイスで高いオン/オフ電流比を達成するために.
- ロジック回路アプリケーションにおけるこの新しいデバイスの可能性を実証するために.
主な方法:
- 3つの端末のアクティブデバイスの開発:グラフェン変数バリアバリスター (GB).
- グラフェンと水素化されたシリコンの間の原子的に鋭いインターフェースを使用した製造.
- ゲート電圧調節によるグラフェン・シリコン・ショットキー・バリアの高さの制御.
主要な成果:
- 10^5.5のオン/オフ比で,デバイスの電流の大きな調節を達成しました.
- フェルミレベルのピニングがないため,ショットキー・バリアの高さ0.2電子ボルトの調節性が実証された.
- 150mmのウェーファーでp型とn型の互補のGBを製造し,インバーターと半エッダルの論理回路に統合しました.
結論:
- グラフェン可変バリアバリスター (GB) は,グラフェン電子機器で高いオン/オフ比率を達成するための実行可能な解決策を提供します.
- 原子的に鋭いグラフェン-シリコンインターフェースは,効果的なバリア変調とデバイスの性能に不可欠です.
- 実証された論理回路は,将来のナノエレクトロニクスアプリケーションのためのGBsの可能性を強調しています.
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