使:

Simon Dalgleish1, Michio M Matsushita, Laigui Hu

  • 1Department of Chemistry and Research Centre for Materials Science, Nagoya University, Chikusa, Nagoya, Japan. dalgleish.simon.john@j.mbox.nagoya-u.ac.jp

まとめ

研究者は,金属/インソレーター/半導体/金属 (MISM) 構造のbis-{4-dimethylaminodithiobenzil) -Ni{II) (BDN) を使用して,近赤外線光検出を強化しました. このMISM設計は,光電流を増加させ,高周波光通信を可能にし,シリコン光ダイオドの限界を超えた高い検出率を達成します.