VSEPR Theory and the Effect of Lone Pairs
Electrostatic Boundary Conditions in Dielectrics
The Electrical Double Layer
Imperfections in Crystal Structure: Point, Line and Plane Defects
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Benjamin Butz1, Christian Dolle1, Florian Niekiel1
1Center for Nanoanalysis and Electron Microscopy, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg, Cauerstraße 6, 91058 Erlangen, Germany.
二重層グラフェンの変位は,堆積断層エネルギーがないため,ユニークなパターンを表します. この研究は,これらの閉じ込められた変位が膜の屈折を引き起こし,グラフェンに大きく影響する方法を明らかにしています.
06:57Theoretical Calculation and Experimental Verification for Dislocation Reduction in Germanium Epitaxial Layers with Semicylindrical Voids on Silicon
Published on: July 17, 2020
11:24Optimized Fabrication Procedure for High-Quality Graphene-based Moiré Superlattice Devices
Published on: July 11, 2025
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